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關(guān)于shinkuu磁控濺射設(shè)備技術(shù)分析
磁控濺射系統(tǒng)是利用靶材背面的強磁體促進陰極表層電離,利用磁場使離子與靶材碰撞并噴出金屬分子的原理。
金和鉑等貴金屬主要用于電子顯微鏡應(yīng)用。我們還有一系列可以濺射其他金屬靶材的型號。
電子顯微鏡濺射,主要粒徑比較
粒徑具有與鋨相當?shù)募毝?,能夠在比鉑更高的倍率范圍內(nèi)進行觀察。
相關(guān)產(chǎn)品特點及運用指南
設(shè)備 | 特征 | 目標金屬 |
MSP-mini 超小型濺射設(shè)備 適用于光學(xué)顯微鏡,適合用于制作有光澤的銀膜,以及用于 SEM 和臺式 SEM 的預(yù)處理。 | ||
MSP-1S 是一種帶有內(nèi)置泵的緊湊型濺射系統(tǒng)。 還可用于濺射鉑靶材,可用于高達約50,000倍的高倍率觀察。 |
MSP20 系列以高功能和簡單操作的概念開發(fā)。具備調(diào)整功能、自動排氣順序、聯(lián)鎖功能等各種需求的性能陣容。各有特點,UM是樣品旋轉(zhuǎn)機構(gòu),MT是4英寸靶材,TK是鎢濺射能力。
設(shè)備 | 特征 | 目標金屬 |
MSP-20UM 功能可調(diào),適用于各種應(yīng)用。設(shè)置條件后,可以使用全自動按鈕進行自動沉積。 可選傾斜旋轉(zhuǎn)樣品臺。提高車削性能。 配備氬氣導(dǎo)入,可以鍍上更高純度的貴金屬薄膜。 聯(lián)鎖和安全機構(gòu)也是重要的濺射設(shè)備。 | ||
MSP-20MT 這是4英寸晶圓的濺射系統(tǒng),配備φ100mm尺寸的靶電極。 該設(shè)備概念基于 MSP-20,可對更廣泛的樣品進行涂層。 | ||
該設(shè)備專為MSP-20TK鎢濺射而開發(fā)。它也可用于超高分辨率 SEM 觀察。大容量電源可以濺射貴金屬以外的多種金屬。 氬氣用作氣氛氣體。風冷磁控管靶可減少樣品損壞并防止靶溫升高。 |
這是一種特殊的濺射設(shè)備,支持在半導(dǎo)體制造過程中對大面積晶片進行濺射。提供 8 英寸和 12 英寸兩種尺寸。
設(shè)備 | 特征 | 目標金屬 |
采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑為200 mm的大面積樣品臺,以滿足更大尺寸的MSP-8in硅襯底的需求。更大的樣品臺可以同時鍍膜 8 英寸晶圓和多個 SEM 樣品,從而提高檢測工作的效率。 | ||
采用磁控靶電極實現(xiàn)了直徑為300 mm的大面積樣品臺,以滿足更大尺寸的MSP-12in硅基板的需求。更大的樣品臺可同時鍍膜 12 英寸晶圓和多個 SEM 樣品,提高檢測工作效率。 |
對于形狀復(fù)雜、超高倍率觀察20萬倍以上的樣品,請考慮包覆性好、顆粒細的鋨鍍膜機。